Реферати

Розрахунок та проектування тонкоплівкового підсилювача потужності


ВПУ-313.

Тема: Дизайн REA.

Група: РА-6.

КУРСОВИЙ ПРОЕКТ.

На тему: Розрахунок і проектування в тонкоплівці

продуктивність схеми підсилювача потужності.

Учень: Короткова Є.В

вчитель:

Даніелян В.С

Дата видачі вакансії:

Дата завершення проектування:

Москва 1997

Розрахунок та проектування тонкоплівкового підсилювача потужності

Ця схема являє собою підсилювач потужності на основі біполярного транзистора, підключеного за схемою OE. Перехідний конденсатор С1 пропускає змінну складову напруги джерела сигналу у вхідний ланцюг і не пропускає постійну складову. Блокуючий конденсатор С2 шунтує резистор змінного струму R4, таким чином усуваючи негативний зворотний зв’язок змінного струму. Відсутність конденсатора С2 призведе до зниження коефіцієнта посилення каскаду. У нижчій частотній області на роботу підсилювача впливають перехідні та блокувальні конденсатори, у вищій — залежність від частоти коефіцієнта базового струму, ємності колектора та ємності навантаження.

Резистори:

R1 = 2200 Ом

R2 = 480 Ом

R3 = 4500 Ом

R4 = 120 Ом

h = 100 мкм

бтех = 100 мкм

l = 100 мкм

b = 100 мкм

R1 = 10%

R2 = 0,9%

R3 = 7,2%

R4 = 0,9%

s = 0,4%

соптом = 300 Ом /

P1 = 50 мВт

P2 = 25 мВт

P3 = 7 мВт

P4 = 25 мВт

Конденсатори:

C1 = 80 пФ

С2 = 2200 пФ

Ураб = 10 дюймів

Co = 20 пф / мм * мм

= 5,2

tg = 0,002

Kz = 3

Тмакс = 60°C

c = 3%

l = 25 мкм

Вибір способу виготовлення тонкоплівкового GIMS.

Виходячи з даних, видно, що похибка виготовлення резисторів і конденсаторів становить не більше 10%. Для виготовлення схеми підсилювача потужності вибираємо метод фотолітографії, оскільки цей метод дає більш високу точність при виготовленні GIMS і більший відсоток виходу відповідної продукції при серійному і великосерійному виробництві.

  1. Вибір діелектричного матеріалу.

Вибір діелектричного матеріалу здійснюється згідно з таблицею 3, виходячи з

вихідні дані.

Для С1 — електровакуумне скло С 41 — 1.

Для С2 — електровакуумне скло С 41 — 1.

Матеріалом пластин для цих конденсаторів буде Al.

  1. Визначення товщини очищеного діелектрика.

d=0,0885*/Co

d=0,02301 мм

  1. Визначення площі перекриття обкладок конденсатора.

S=C/Co*Kz

СC1= 20 мм * мм

СC2= 550 мм * мм

  1. Визначення розмірів обкладок конденсатора.

Розміри верхніх пластин конденсаторів будуть дорівнювати:

__

лв= бв= С

лвC1= бвC1=4,472 мм

лвC2= бвC2=23,452 мм

Розміри нижніх пластин конденсаторів з урахуванням допусків на

перекриття, буде дорівнювати:

лале=бале= лв+2(l+g)

лалеC1=балеC1=4,922 мм

лалеC2=балеC2=23,902 мм

  1. Визначення розмірів міжшарового діелектрика.

лд/д= бд/д =лале+ 2(l+f)

лд/е С1=бд/е С1=5,372 мм

лд/е С2=бд/е С2=24,352 мм

  1. Визначення площі, яку займають конденсатори, за розміром діелектрика.

С = лд/д* бд/д

СC1 = 28,858 мм*мм

СC2 = 593,0199 мм*мм

  1. Вибір матеріалу резистивної плівки.

Для R1 — ніхром Х20Н80.

Для R2 — ніхром Х20Н80.

Для R3 — ніхром Х20Н80.

Для R2 — ніхром X20H80.

Перевіримо, чи правильно підібраний матеріал резистивного шару.

f = R/R*100 — с/с*сто;

fодин = 0,3212

f2 = 0,0542

f3 = 0,0267

f4 = 0,6167

Резистивний матеріал вибрано правильно. phодин;  f 2;  f 3;  f 4 > 0

Ми використовуємо Cu як матеріал прокладки.

  1. Визначення коефіцієнтівІформа резисторів.

Форм-фактор визначається за формулою: Кf=Розрахунок та проектування тонкоплівкового підсилювача потужності;

ДОf1 = 7,3

ДОf2 = 1,6

ДОf3 = 15

ДОf4 = 0,4

  1. Визначення конструкції резисторів за значенням коефіцієнтівІent форма.

Для R1 — Форма прямокутна, тому що 1  Кf  10

Для R2 — Форма прямокутна, тому що 1  Кf  10

Для R3 — Складена форма меандру, оскільки 10  Кf  50

Для R4 — прямокутна форма, тому що ТОf

ширина > довжина

  1. Визначення ширини резисторів.

Точна ширина резисторів розраховується за формулою:

бточний= (л/кf+б)/f;

Розрахунок ширини резисторів з урахуванням їх потужності:

бР= Розрахунок та проектування тонкоплівкового підсилювача потужності;

Для R1 — бР = 0,58 мм

Для R2 — бР = 0,88 мм

Для R3 — бР = 0,15 мм

Для R4 — бР = 1,76 мм

Для R1 — бточний = 0,8849 мм

Для R2 — бточний = 4,9 мм

Для R3 — бточний = 9,9875 мм

Для R4 — бточний = 1,4188 мм

З усіх значень ширини опору вибираємо максимальну

значення:

R1 макс [ bтехн=0.1мм bточн=0,88 мм bp=0,58 мм] бодин=0,88 мм

R2 макс [ bтехн=0.1мм bточн=4,9 мм bp=0,88 мм] б2=4,9 мм

R3 макс [ bтехн=0.1мм bточн=9,98 мм bp=0,15 мм] б3=9,98 мм

R4 макс [ bтехн=0.1мм bточн=1,41 мм bp=1,76 мм] б4=1,76 мм

  1. Розрахунок довжинис резисторов.

Розрахована довжина резистора визначається як: Лрозрах = б*Кf;

Загальна довжина резистора визначається як: Лповний = Лрозрах +2 год;

Лрозрахований R1 = 6,424 мм

Лрозрахований R2 = 7,84 мм

Лрозрахунок R3 = 149,7 мм

Лрозрахунок R4 = 0,704 мм

Лповний R1 = 6,624 мм

Лповний R2 = 8,04 мм

Лповний R3 = 149,9 мм

Лповний R4 = 0,904 мм

  1. Розрахунок площі резисторів.

С = Лповний * б

СR1 = 5,829 мм*мм

СR2 = 39,396 мм*мм

СR3 = 1496 мм*мм

СR4 = 1,59 мм*мм

Всі отримані значення резисторів наведені в таблиці:

чинити опірпроР

Номінал

Матеріал

резистор

Розміри

б, мм

Розміри

л, мм

Розміри

S, мм*мм

коеф.

форми

R1

2,2 кОм

X20H80

0,88

6,624

5.83

7.3

R2

480 Ом

X20H80

4.9

8.04

39,39

1.6

R3

4,5 кОм

X20H80

9,98

149.9

1496 р

15

R4

120 Ом

X20H80

1,76

0,904

1.59

0.4

  1. Площа підкладки розраховується за формулою:

Созначає= КСРозрахунок та проектування тонкоплівкового підсилювача потужності;

СР = R1+R2+R3+R4

СР = 1542,81 мм*мм

СC = C1+C2

СC = 621,87 мм*мм

СКП = 48 мм*мм

СХ.Е.= 120 мм*мм

В КС = 2 виходить:

Созначає= 2332,68 мм*мм

Сфакт.неправда= 45 * 52 = 2340 мм * мм

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *